k9f3208w0a-tcb0, k9f3208w0a-tib0 flash 记忆
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文档 标题
4m x 8 位 与非 flash 记忆
修订 history
这 连结 数据手册 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这 正确的
至 改变 这 规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 关于 设备. 如果 你 have
任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near 你.
修订 非.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Remark
进步
History
最初的 公布.
数据 薄板, 1999
1. 增加CEdon’t 小心 模式 在 这 数据-加载 和 读
1. 修订 real-时间 编排-输出 algorithm(谈及 至 技术的 notes)
2. 移除 擦掉 suspend/重新开始 模式
1. changed 设备 名字
- km29w32000at -> k9f3208w0a-tcb0
- km29w32000ait -> k9f3208w0a-tib0
1. changed invalid 块(s) 标记 方法 较早的 至 shipping
- 这 invalid 块(s) 信息 是 写 这 1st 或者 2nd 页 的 这
invalid 块(s) 和 00h 数据
--->这 invalid 块(s) 状态 是 定义 用 这 6th 字节 在 这 spare
范围. samsung 制造 确信 那 也 这 1st 或者 2nd 页 的 每
invalid 块 有非-ffh数据 在 这 column 地址 的 517.
2. changedSE管脚 描述
-SE是 推荐 至 结合 至 地 或者 vcc 和 应当 不 是
toggled 在 读 或者 程序编制.
1.powerup sequence 是 增加
: 恢复 时间 的 最小 1
µ
s 是 必需的 在之前 内部的 电路 gets
准备好 为 任何 command sequences
2. 交流 参数 tclr(cle 至RE延迟, 最小值 50ns) 是 增加.
3. 交流 参数 tar1 值 : 150ns --> 20ns
4. #40 管脚 名字 : nse --> 地
V
CC
WP
高
≈
≈
~ 2.5v
~ 2.5v
≈
我们
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µ
draft 日期
april 10th 1998
april 10th 1999
july 23th 1999
sep. 15th 1999
july 17th 2000
july 23th 2001
便条 : 为 更多 详细地 特性 和 规格 包含 faq, 请 谈及 至 samsung’s flash 网 站点.
http://www.intl.samsungsemi.com/记忆/flash/数据手册.html.
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