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HEXFET
®
是 一个 注册 商标 的 国际的 整流器.
IRF3710Z
IRF3710ZS
IRF3710ZL
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
S
D
G
V
DSS
= 100v
R
ds(在)
= 18m
Ω
I
D
= 59a
特性
O
先进的 处理 技术
O
过激 低 在-阻抗
O
动态 dv/dt 比率
O
175°c 运行 温度
O
快 切换
O
repetitive avalanche 允许 向上 至 tjmax
automotive 场效应晶体管
描述
specifically 设计 为 automotive 产品,
这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 运用 这 最新的
处理 技巧 至 达到 极其 低
在-阻抗 每 硅 范围. 额外的 fea-
tures 的 这个 设计 是 一个 175°c 接合面 运行
温度, 快 切换 速 和 改进
repetitive avalanche 比率 . 这些 特性 com-
bine 至 制造 这个 设计 一个 极其 效率高的
和 可依靠的 设备 为 使用 在 automotive applica-
tions 和 一个 宽 多样性 的 其它 产品.
D
2
Pak
IRF3710ZS
至-220ab
IRF3710Z
至-262
IRF3710ZL
绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v (硅 限制)
一个
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v (看 图. 9)
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗 W
直线的 减额 因素 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (thermally 限制)
d
mJ
E
作
(测试)
Sin
gle 脉冲波 avalanche energy测试 值
i
I
AR
avalanche 电流
c
一个
E
AR
repetitive avalanche energy
h
mJ
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.92 °c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面
0.50 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 62
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载, 稳步的 状态)
j
––– 40
最大值
59
42
240
10 lbf•in (1.1n•m)
160
1.1
± 20
170
200
看 图.12a,12b,15,16
300 (1.6mm 从 情况 )
-55 至 + 175
pd - 94632a
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