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repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11).
限制 用 t
Jmax
, 开始 t
J
= 25°c, l = 0.27mh,
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 35a, v
GS
=10v. 部分 不
推荐 为 使用 在之上 这个 值.
I
SD
≤
35a, di/dt
≤
380a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175°c.
脉冲波 宽度
≤
1.0ms; 职责 循环
≤
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
.
限制 用 t
Jmax
, 看 图.12a, 12b, 15, 16 为 典型 repetitive
avalanche 效能.
这个 值 决定 从 样本 失败 population. 100%
测试 至 这个 值 在 生产.
这个 是 应用 至 d
2
pak, 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb
( fr-4 或者 g-10 材料 ). 为 推荐 footprint 和
焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
S
D
G
S
D
G
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 Typ. 最大值 单位
V
(br)dss
流-至-源 损坏 voltage 100 ––– ––– V
∆Β
V
DSS
/
∆
T
J
损坏 voltage 温度 系数 ––– 0.10 ––– v/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 14 18
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 voltage 2.0 ––– 4.0 V
gfs 向前 跨导 35 ––– ––– S
I
DSS
流-至-源 leakage 电流 ––– ––– 20 µA
––– ––– 250
I
GSS
门-至-源 向前 leakage ––– ––– 200 nA
门-至-源 反转 leaka
ge ––– ––– -200
Q
g
总的 门 charge ––– 82 120 nC
Q
gs
门-至-源 charge ––– 19 28
Q
gd
门-至-流 ("miller") charge ––– 27 40
t
d(在)
转变-在 delay时间 ––– 17 ––– ns
t
r
上升 时间 ––– 77 –––
t
d(止)
转变-止 delay时间 ––– 41 –––
t
f
下降 时间 ––– 56 –––
L
D
内部的 流 电感 ––– 4.5 ––– nH 在 含铅的,
6mm (0.25in.)
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 ––– 从 package
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 2900 ––– pF
C
oss
输出 电容 ––– 290 –––
C
rss
反转 转移 电容 ––– 150 –––
C
oss
输出 电容 ––– 1130 –––
C
oss
输出 电容 ––– 170 –––
C
oss
eff.
有效的 输出 电容 ––– 280 –––
二极管 特性
参数 最小值 Typ. 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 59
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 240
(身体 二极管)
Ã
V
SD
二极管 向前 电压
––– ––– 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间
–––5075ns
Q
rr
反转 recoveryCharge ––– 100 160 nC
t
在
向前 转变-在 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 35a
f
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v
V
DS
= 100v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
R
G
= 6.8
Ω
I
D
= 35a
V
DS
= 50v, i
D
= 35a
V
DD
= 50v
I
D
= 35a
V
GS
= 20v
V
GS
= -20v
T
J
= 25°c, i
F
= 35a, v
DD
= 25v
di/dt = 100a/µs
f
T
J
= 25°c, i
S
= 35a, v
GS
= 0v
f
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
场效应晶体管 标识
V
GS
= 0v
V
DS
= 25v
V
GS
= 0v, v
DS
= 80v, ƒ = 1.0mhz
情况
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 80v
V
DS
= 80v
V
GS
= 10v
f
ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 10v
f
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