january 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
quadruple 低 至 高 电压 翻译
和 3-状态 输出
HEF4104B
MSI
描述
这 hef4104b quadruple 低 电压 至 高 电压
翻译 和 3-状态 输出 提供 这 能力 的
接合 低 电压 电路 至 高 电压 电路,
此类 作 低 电压 locmos 和 ttl 至 高 电压
locmos. 它 有 四 数据 输入 (i
0
至 i
3
), 一个 起作用的 高
输出 使能 输入 (eo), 四 数据 输出 (o
0
至 o
3
) 和
它们的 complements (o
0
至 O
3
).
和 eo 高, o
0
至 o
3
和 O
0
至 O
3
是 在 这 低
阻抗 在-状态, 也 高 或者 低 作 决定
用 i
0
至 i
3
; 和 eo 低, o
0
至 o
3
和 O
0
至 O
3
是 在 这
高 阻抗 止-状态.
这 设备 使用 一个 一般 负的 供应 (v
SS
) 和
独立的 积极的 供应 为 输入 (v
DDI
) 和 输出
(v
DD0
). v
DDI
必须 总是 是 较少 比 或者 equal 至 v
DDO
,
甚至 在 电源 转变-在 和 转变-止. 为 这
容许的 运行 范围 的 v
DDI
和 v
DDO
看 图表
图.4.
各自 输入 保护 电路 是 terminated 在
V
DDO
和 v
SS
. 这个 准许 这 输入 信号 至 是 驱动
从 任何 潜在的 在 v
DDO
和 v
SS
, 没有 关于
至 电流 限制的. 当 驱动 从 potentials 更好
比 v
DDO
或者 较少 比 v
SS
, 这 电流 在 各自 输入 必须
是 限制 至 10 毫安.
图.1 函数的 图解.
固定
家族 数据, I
DD
限制 类别 MSI
看 家族 规格
hef4104bp(n): 16-含铅的 dil; 塑料
(sot38-1)
hef4104bd(f): 16-含铅的 dil; 陶瓷的 (cerdip)
(sot74)
hef4104bt(d): 16-含铅的 所以; 塑料
(sot109-1)
( ): 包装 designator 北 america
I
0
至 i
3
数据 输入
EO 输出 使能 输入
O
0
至 o
3
数据 输出
O
0
至 O
3
complementary 数据 输出
图.2 固定 图解.
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