january 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
quadruple 低 至 高 电压 翻译
和 3-状态 输出
HEF4104B
MSI
交流 特性
V
SS
= 0 v; t
amb
=25
°
c; C
L
= 50 pf; 输入 转变 时间
≤
20 ns
V
DD
V
标识 典型值 最大值
典型 extrapolation
FORMULA
传播 延迟
I
n
→
O
n
, O
n
5 170 340 ns 143 ns
+
(0,55 ns/pf) c
L
高 至 低 10 t
PHL
80 160 ns 69 ns
+
(0,23 ns/pf) c
L
15 65 135 ns 57 ns
+
(0,16 ns/pf) c
L
5 170 340 ns 143 ns
+
(0,55 ns/pf) c
L
低 至 高 10 t
PLH
80 160 ns 69 ns
+
(0,23 ns/pf) c
L
15 70 140 ns 62 ns
+
(0,16 ns/pf) c
L
输出 转变 时间 5 60 120 ns 10 ns
+
(1,0 ns/pf) c
L
高 至 低 10 t
THL
30 60 ns 9 ns
+
(0,42 ns/pf) c
L
15 20 40 ns 6 ns
+
(0,28 ns/pf) c
L
5 60 120 ns 10 ns
+
(1,0 ns/pf) c
L
低 至 高 10 t
TLH
30 60 ns 9 ns
+
(0,42 ns/pf) c
L
15 20 40 ns 6 ns
+
(0,28 ns/pf) c
L
3-状态 传播
延迟
输出 使不能运转 时间
EO
→
O
n
, O
n
5 70 135 ns
高 10 t
PHZ
55 110 ns
15 60 120 ns
5 70 135 ns
低 10 t
PLZ
55 105 ns
15 55 110 ns
输出 使能 时间
EO
→
O
n
, O
n
5 195 395 ns
高 10 t
PZH
95 195 ns
15 80 165 ns
5 195 395 ns
低 10 t
PZL
95 190 ns
15 80 160 ns
V
DD
V
典型 formula 为 p (
µ
w)
动态 电源 5 3 000 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
在哪里
消耗 每 10 12 200 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
f
i
= 输入 freq. (mhz)
包装 (p) 15 31 000 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
f
o
= 输出 freq. (mhz)
C
L
= 加载 电容 (pf)
∑
(f
o
C
L
) = 总 的 输出
V
DD
= 供应 电压 (v)