january 1995 8
飞利浦 半导体 产品 规格
频率 synthesizer
HEF4750V
LSI
在 这个 方法 合适的 comparison 发生率 能 是
得到 从 一个 范围 的 结晶 发生率. 这 分隔物
能 也 是 使用 作 一个 ‘stand alone’ 可编程序的 分隔物
用 连接 输入 tra 至 v
DD
, 这个 导致 所有 内部的
analogue 电流 至 是 切换 止.
偏置 电路系统
这 偏置 电路系统 使用 一个 外部 电流 源 或者
电阻, 这个 有 至 是 连接 在 这 tra 和
V
SS
管脚. 这个 电路系统 供应 所有 analogue 部分 的 这
电路. consequently 这 analogue properties 的 这
设备, 此类 作 增益, 承担 电流, 速, 电源
消耗, 阻抗 水平 等., 是 mainly 决定
用 这 值 的 这 输入 电流 在 tra. 这 tra 输入
必须 是 decoupled 至 v
DD
, 作 显示 在 图.7. 这 值 的
C
D
有 至 是 选择 此类 那 这 tra 输入 是 ‘clean’, e.g.
10 nf 在 r
一个
= 68 k
Ω
.
图.7 解耦 的 输入 tra.
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
供应 电压 V
DD
−
0,5 至
+
15 V
电压 在 任何 输入 V
I
−
0,5 至 v
DD
+
0,5 V
d.c. 电流 在 任何 输入 或者 输出
±
I 最大值 10 毫安
电源 消耗 每 包装
为 t
amb
= 0 至
+
85
°
CP
tot
最大值 500 mW
电源 消耗 每 输出
为 t
amb
= 0 至 85
°
C P 最大值 100 mW
存储 温度 T
stg
−
65 至
+
150
°
C
运行 包围的 温度 T
amb
−
40 至
+
85
°
C
: 点此下载
