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资料编号:314187
资料名称:
IRF510A
文件大小: 252.81K
说明
:
介绍
:
Advanced Power MOSFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF510A
BV
DSS
= 100 v
R
ds(在)
= 0.4
Ω
I
D
= 5.6 一个
100
5.6
4
20
±
20
63
5.6
3.3
6.5
33
0.22
-
55 至 +175
300
4.51
--
62.5
--
0.5
--
n
avalanche 坚毅的 技术
n
坚毅的 门 oxide 技术
n
更小的 输入 电容
n
改进 门 承担
n
扩展 safe 运行 范围
n
175
°
C
运行 温度
n
更小的 泄漏 电流 : 10
μ
一个 (最大值.) @ v
DS
= 100v
n
更小的 r
ds(在)
: 0.289
Ω
(典型值.)
先进的 电源 场效应晶体管
热的 阻抗
接合面-至-情况
情况-至-下沉
接合面-至-包围的
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
c/w
典型的
最大值
单位
标识
典型值
特性
绝对 最大 比率
流-至-源 电压
持续的 流 电流 (t
C
=25
℃
)
持续的 流 电流 (t
C
=100
℃
)
流 电流-搏动
(1)
门-至-源 电压
单独的 搏动 avalanche 活力
(2)
avalanche 电流
(1)
repetitive avalanche 活力
(1)
顶峰 二极管 恢复
dv/dt
(2)
总的 电源 消耗 (t
C
=25
℃
)
直线的
减额
因素
运行 接合面 和
存储 温度 范围
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8? 从 情况 为 5-秒
典型的
值
单位
标识
I
DM
V
GS
E
作
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, t
STG
T
L
一个
V
mJ
一个
mJ
v/ns
W
w/
°
C
一个
°
C
V
DSS
V
至-220
1.门 2. 流 3. 源
3
2
1
rev. b1
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