IRF510A
100
--
2.0
--
--
--
--
--
0.11
--
--
--
--
--
55
21
10
14
28
18
8.5
1.6
4.1
--
--
4.0
100
-100
10
100
0.4
--
240
65
25
30
40
70
50
12
--
--
3.49
190
--
--
--
85
0.23
5.6
20
1.5
--
--
注释 ;
(1) repetitive 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
(2) l=3mh, i
作
=5.6a, v
DD
=25v, r
G
=27
Ω
, 开始 t
J
=25
°
C
(3) i
SD
≤
5.6a, di/dt
≤
250a/
μ
s, v
DD
≤
BV
DSS
, 开始 t
J
=25
°
C
(4) 脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度 = 250
µ
s, 职责 循环
≤
2%
(5) essentially 独立 的 运行 温度
n-频道
电源 场效应晶体管
电的 特性
(t
C
=25
°
C 除非 否则 指定)
流-源 损坏 电压
损坏 电压 温度 coeff.
门 门槛 电压
门-源 泄漏 , 向前
门-源 泄漏 , 反转
典型的标识
最大值 单位典型值最小值 测试 情况
静态的 流-源
在-状态 阻抗
向前 跨导
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
下降 时间
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 (“miller”) 承担
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
BV
DSS
Δ
bv/
Δ
T
J
V
gs(th)
R
ds(在)
I
GSS
I
DSS
V
v/
°
C
V
nA
μ
一个
Ω
S
pF
ns
nC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
V
GS
=0v,i
D
=250
µ
一个
I
D
=250
µ
一个
看 图 7
V
DS
=5v,i
D
=250
µ
一个
V
GS
=20V
V
GS
=-20v
V
DS
=100V
V
DS
=80v,t
C
=150
°
C
V
GS
=10v,i
D
=2.8a
(4)
V
DS
=40v,i
D
=2.8a
(4)
V
DD
=50v,i
D
=5.6a,
R
G
=24
Ω
看 图 13
(4)(5)
V
DS
=80v,v
GS
=10v,
I
D
=5.6a
看 图 6 &放大; 图 12
(4)(5)
流-至-源 泄漏 电流
V
GS
=0v,v
DS
=25v,f =1mhz
看 图 5
源-流 二极管 比率 和 特性
持续的 源 电流
搏动-源 电流 (1)
二极管 向前 电压
(4)
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
CharacteristicSymbol 最大值 单位典型值最小值 测试 情况
--
--
--
--
--
一个
V
ns
µ
C
integral 反转 pn-二极管
在 这 场效应晶体管
T
J
=25
°
c,i
S
=5.6a,v
GS
=0V
T
J
=25
°
c,i
F
=5.6a
di
F
/dt=100a/
µ
s
(4)
: 点此下载
