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资料编号：315217
 
资料名称：IRF5852
 
文件大小： 239.7K
   
说明：
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=20V)
 
 


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IRF5852
www.irf.com 7
图 14.
门槛 电压 vs. tempera-
ture
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
gs(th)
, variace ( v )
I
D
= 250µa
图 15.
典型 电源 vs. 时间
0.001 0.010 0.100 1.000 10.000
时间 (秒)
0
4
8
12
16
20
24
电源 (w)
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