参数 最大值 单位
V
DS
流- 源 电压 20 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 2.7
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 2.2 一个
I
DM
搏动 流 电流
11
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
0.96
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗
0.62
直线的 减额 因素 7.7 mw/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 12 V
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
3/1/01
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
130 °c/w
热的 阻抗
绝对 最大 比率
W
www.irf.com 1
IRF5852
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这些 n-频道 mosfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到 这
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
设备 为 使用 在 电池 和 加载 管理
产品.
这个 双 tsop-6 包装 是 完美的 为 产品
在哪里 打印 电路 板 空间 是 在 一个 premium 和
在哪里 最大 符合实际 是 必需的. 和 二
消逝 每 包装, 这 irf5852 能 提供 这
符合实际 的 二 sot-23 包装 在 一个 小
footprint. 它的 唯一的 热的 设计 和 r
ds(在)
减少 使能 一个 增加 在 电流-处理
能力.
描述
过激 低 在-阻抗
双 n-频道 场效应晶体管
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
低 门 承担
pd - 93999
tsop-6
顶 视图
V
DSS
R
ds(在)
最大值 (
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
I
D
20 V
0.090@v
GS
= 4.5v 2.7a
0.120@v
GS
= 2.5v 2.2a
S2
G2
G1
3
2
1
4
5
6D1
D2
S1
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