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资料编号:315362
 
资料名称:MRF5S9100NR1
 
文件大小: 442.7K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
 
 


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mrf5s9100nr1 mrf5s9100nbr1 mrf5s9100mr1 mrf5s9100mbr1
5
rf 设备 数据
freescale 半导体
典型 特性
η
D
920
6
22
830
−70
50
IRL
G
ps
ACPR
ALT
f, 频率 (mhz)
输出
= 20 watts avg.
G
ps
, 电源 增益 (db)
V
DD
= 26 vdc, p
输出
= 20 w (avg.), i
DQ
= 950 毫安
Ncdma 是95 (领航员, 同步, paging, 交通量
代号 8 通过 13)
−30
−10
−20
−15
输入 返回 丧失 (db)irl,
效率 (%)
acpr (dbc), alt (dbc)
−25
, 流
η
D
20 40
18 30
16 20
14 30
12 40
10 50
8−60
840 850 860 870 880 890 900 910
η
D
920
6
22
830
−80
10
IRL
G
ps
ACPR
ALT
f, 频率 (mhz)
图示 4. 是-95 broadband 效能 @ p
输出
= 2 watts avg.
G
ps
, 电源 增益 (db)
V
DD
= 26 vdc, p
输出
= 2 w (avg.), i
DQ
= 950 毫安
Ncdma 是95 (领航员, 同步, paging, 交通量
代号 8 通过 13)
−30
−10
−20
−15
输入 返回 丧失 (db)irl,
效率 (%)
acpr (dbc), alt (dbc)
−25
, 流
η
D
20 8
18 6
16 4
14 40
12 50
10 60
8−70
840 850 860 870 880 890 900 910
1000
16
21
0.1
I
DQ
= 1425 毫安
1150 毫安
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
图示 5. 二-声调 电源 增益 相比
输出 电源
G
ps
, 电源 增益 (db)
V
DD
= 26 vdc, f1 = 880 mhz, f2 = 880.1 mhz
声调 度量, 100 khz 声调 间隔
475 毫安
700 毫安
950 毫安
20
19
18
17
1 10 100
1000
−70
−20
0.1
I
DQ
= 475 毫安
1425 毫安
P
输出
, 输出 电源 (watts) pep
图示 6. 第三 顺序 交调 扭曲量
相比 输出 电源
V
DD
= 26 vdc, f1 = 880 mhz, f2 = 880.1 mhz
声调 度量, 100 khz 声调 间隔
950 毫安
700 毫安
1150 毫安
−25
−30
−35
−40
−45
−50
−55
−60
−65
1 10 100
imd, 第三 顺序
交调 扭曲量 (dbc)
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