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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf5s9100nr1 mrf5s9100nbr1 mrf5s9100mr1 mrf5s9100mbr1
典型 特性
100
−70
0
0.1
7th 顺序
二−声调 间隔 (mhz)
图示 7. 交调 扭曲量 产品
相比 声调 间隔
交调 扭曲量 (dbc)imd,
V
DD
= 26 vdc, p
输出
= 96 w (pep), i
DQ
= 950 毫安
二−声调 度量, 中心 频率 = 880 mhz
5th 顺序
3rd 顺序
110
−10
−20
−30
−40
−50
−60
38
48
58
28
P
在
, 输入 电源 (dbm)
图示 8. 脉冲波 cw 输出 电源 相比
输入 电源
57
56
55
54
53
52
51
50
49
29 30 31 32 33 34 35 36 37
, 流 效率 (%)
η
D
η
D
100
0
50
1
−80
−30
G
ps
ACPR
ALT1
P
输出
, 输出 电源 (watts) avg.
图示 9. 单独的-运输车 n-cdma acpr, 电源
增益, 效率 和 alt1 相比 输出 电源
V
DD
= 26 vdc, i
DQ
= 950 毫安, f = 880 mhz
N−cdma 是−95 (领航员, 同步, paging,
交通量 代号 8 通过 13)
G
ps
, 电源 增益 (db)
acpr, 调整 频道 电源 比率 (dbc)
alt1, 频道 电源 (dbm)
45 −35
40 −40
35 −45
30 −50
25 −55
20 −60
15 −65
10 −70
5−75
10
完美的
p3db = 51.58 dbm (143 w)
V
DD
= 26 vdc, i
DQ
= 950 毫安
搏动 cw, 8
µ
秒(在), 1 msec(止)
中心 频率 = 880 mhz
真实的
p1db = 50.71 dbm (117 w)
180
17
20
0
V
DD
= 12 v
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
图示 10. 电源 增益 相比 输出 电源
G
ps
, 电源 增益 (db)
I
DQ
= 950 毫安
f = 880 mhz
16 v
20 v
24 v
32 v
19.5
19
18.5
18
17.5
30 60 90 120 150
220
10
10
80
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
这个 在之上 图表 显示 计算 mttf 在 小时 x ampere
2
流 电流. 生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至
更好的 比
±
10% 的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔
mttf 因素 用 i
D
2
为 mttf 在 一个 particular 应用.
100 120 140 160 180
10
9
10
7
10
8
图示 11. mttf 因素 相比 接合面 温度
mttf 因素 (小时 x 放大器
2
)
200
P
输出
, 输出 电源 (dbm)
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