IRF630S
N - 频道 200V - 0.35
Ω
-9a-D
2
PAK
MESH OVERLAY
场效应晶体管
■
典型 R
ds(在)
= 0.35
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
非常 低 INTRINSIC CAPACITANCES
■
门 承担 使减少到最低限度
■
为 通过-孔 版本 联系
销售 办公室
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 设计 使用 这
company’s consolidated strip 布局-为基础 MESH
OVERLAY
处理. 这个 技术 matches
和 改进 这 performances 对照的 和
标准 部分 从 各种各样的 来源.
产品
■
高 电流 切换
■
UNINTERRUPTIBLE 电源 供应 (ups)
■
直流/直流 COVERTERS 为 电信,
工业的, 和 LIGHTING 设备.
内部的 图式 图解
12月 1998
绝对 最大 比率
Symbol Parameter Value Un它
V
DS
流-source 电压 (v
GS
= 0) 200 V
V
DGR
流- 门 电压 (r
GS
=20k
Ω
) 200 V
V
GS
Gate-源 Voltage
±
20 V
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=25
o
C9A
I
D
流 Current (continuous) 在 T
c
=100
o
c5.7a
I
DM
(
•
) 流 电流 (搏动) 36 一个
P
tot
Total Dissipation 在 T
c
=25
o
C70W
Derating Factor 0.56 W/
o
C
dv/dt(
1
) 顶峰 二极管 恢复 voltage 斜度 5 v/ns
T
stg
存储 温度 -65 至 150
o
C
T
j
最大值 Operating Junction Temperature 150
o
C
(
•
) Pulse 宽度 限制 用 safe 运行 范围 (
1
)i
SD
≤
9a, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, V
DD
≤
V
(br)dss
,tj
≤
T
JMAX
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
IRF630S 200 V < 0.40
Ω
9A
1
3
D
2
PAK
至-263
(后缀 ”t4”)
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