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资料编号:315986
 
资料名称:IRF630S
 
文件大小: 97.84K
   
说明
 
介绍:
N-channel TrenchMOS transistor
 
 


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电的 特性
(持续)
切换
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(在)
t
r
转变-在 时间
上升 时间
V
DD
=100V I
D
= 4.5 一个
R
G
=4.7
V
GS
=10V
(看 test circu, figure 3)
10
15
14
20
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate 承担
Gate-source 承担
Gate-流 承担
V
DD
= 160 V I
D
=9A V
GS
=10V 31
7.5
9
45 nC
nC
nC
切换
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
r(voff)
t
f
t
c
-voltage 上升 Time
下降 时间
交叉-over 时间
V
DD
=160V I
D
=9A
R
G
=4.7
V
GS
=10V
(看 test circu, figure 5)
12
12
25
17
17
35
ns
ns
ns
二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
SD
I
SDM
(
)
Source-dra Current
Source-dra Current
(搏动)
9
36
一个
一个
V
SD
(
)forwardonvoltage I
SD
=9A V
GS
=0 1.5 V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反转 恢复
时间
反转 恢复
承担
反转 恢复
电流
I
SD
=9A di/dt=100a/
µ
s
V
DD
=50V T
j
= 150
o
C
(看 test circu, figure 5)
170
0.95
11
ns
µ
C
一个
(
) 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
(
) 脉冲波 宽度 限制 safe 运行 范围
Safe 运行 范围 热的 阻抗
IRF630S
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