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资料编号:317194
 
资料名称:IRF7301
 
文件大小: 113.75K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7301
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 20 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.044 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
––– ––– 0.050 V
GS
= 4.5v, i
D
= 2.6a
––– ––– 0.070 V
GS
= 2.7v, i
D
= 2.2a
V
gs(th)
门 门槛 电压 0.70 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 8.3 ––– ––– S V
DS
= 15v, i
D
= 2.6a
––– ––– 1.0 V
DS
= 16v, v
GS
= 0v
––– ––– 25 V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, t
J
= 125 °c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 12v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= - 12v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 20 I
D
= 2.6a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 2.2 nC V
DS
= 16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 8.0 V
GS
= 4.5v, 看 图. 6 和 12
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 9.0 ––– V
DD
= 10v
t
r
上升 时间 ––– 42 ––– I
D
= 2.6a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 32 ––– R
G
= 6.0
t
f
下降 时间 ––– 51 ––– R
D
= 3.8
Ω,
看 图. 10
在 含铅的 tip
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 660 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 280 ––– pF V
DS
= 15v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 140 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
注释:
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.0 V T
J
= 25°c, i
S
= 1.8a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 29 44 ns T
J
= 25°c, i
F
= 2.6a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 22 33 nC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
2.6a, di/dt
100a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150°C
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
源-流 比率 和 特性
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
––– ––– 21
––– ––– 2.5
一个
S
D
G
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
L
S
内部的 源 电感 ––– 6.0 –––
L
D
内部的 流 电感 ––– 4.0 –––
nH
ns
nA
µA
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
S
D
G
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
表面 挂载 在 fr-4 板, t
10sec.
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