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资料编号:317194
 
资料名称:IRF7301
 
文件大小: 113.75K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7301
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
300
600
900
1200
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
V, drain-至-所以urce voltage (v)
一个
V=0V,f=1M Hz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0 5 10 15 20 25
Q, total gate 承担 (nc)
G
V , g ate-至-source v oltage(v )
GS
一个
为 测试电路
图示12
I=2.6a
V=16V
D
DS
0.1
1
10
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
t = 25°C
t = 150°C
J
J
V=0V
GS
V, 所以urce-至-dra在 voltage (v)
i , reverse d rain current (一个)
SD
SD
一个
1
10
100
0.1 1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
一个
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
100us
1ms
10ms
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