4-233
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
IRF730 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DS
400 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω)
(便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
400 V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
T
C
= 100
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
5.5
3.5
一个
一个
搏动 流 电流 (便条 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .i
DM
22 一个
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GS
±
20 V
最大 电源 消耗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
75 W
直线的 减额 因素. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6 w/
o
C
单独的 脉冲波 avalanche 活力 比率 (便条 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
作
300 mJ
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
j,
T
STG
-55 至 150
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 125
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 10) 400 - - V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个 2.0 - 4.0 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v - - 25
µ
一个
V
DS
= 0.8 x 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v, t
J
= 125
o
C - - 250
µ
一个
在-状态 流 电流 (便条 2) I
d(在)
V
DS
>i
d(在)
xr
ds(在)最大值
,v
GS
= 10V (图示 7) 5.5 - - 一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 2) r
ds(在)
I
D
= 3.0a, v
GS
= 10v (图示 8, 9) - 0.800 1.000
Ω
向前 跨导 (便条 2) g
fs
V
DS
≥
10v, i
D
= 3.3a (图示 12) 2.9 4.4 - S
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 200v, i
D
≈
5.5a, r
GS
= 12
Ω
, r
L
= 35
Ω
场效应晶体管 切换 时间 是 essentially
独立 的 运行 温度
-1017ns
上升 时间 t
r
-2029ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-3556ns
下降 时间 t
f
-1524ns
总的 门 承担
(门 至 源 + 门 至 流)
Q
g(tot)
V
GS
= 10v, i
D
= 5.5a, v
DS
= 0.8 x 评估 bv
DSS
,
I
g(ref)
= 1.5ma, (图示 14)
门 承担 是 essentially 独立 的
运行 温度
-2035nc
门 至 源 承担 Q
gs
- 3.0 - nC
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
-10-nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz (图示 11) - 600 - pF
输出 电容 C
OSS
- 150 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
-40- pF
内部的 流 电感 L
D
量过的 从 这
联系 screw 在 tab 至
中心 的 消逝
修改 场效应晶体管
标识 表明 这
内部的 设备
Inductances
- 3.5 - nH
量过的 从 这 流
含铅的, 6mm (0.25in) 从
包装 至 中心 的 消逝
- 4.5 - nH
内部的 源 电感 L
S
量过的 从 这
源 含铅的, 6mm
(0.25in) 从 标头 至
源 使牢固结合 垫子
- 7.5 - nH
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 1.67
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
自由 空气 运作 - - 80
o
c/w
L
S
L
D
G
D
S
IRF730
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