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资料编号:317204
 
资料名称:IRF730
 
文件大小: 54.27K
   
说明
 
介绍:
5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
 
 


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4-236
图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
图示 12. 跨导 vs 流 电流 图示 13. 源 至 流 二极管 电压
图示 14. 门 至 源 电压 vs 门 承担
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
normalized 流 至 源
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40 0 40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
120
1.15
80
I
D
= 250
µ
一个
160
损坏 电压
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
c, 电容 (pf)
1500
1200
900
600
300
0
110
100
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
10
8
6
4
2
0
0246810
I
D
, 流 电流 (一个)
g
fs
, 跨导 (s)
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0 0.4 0.8 1.2 1.6
V
SD
, 源 至 流 电压 (v)
100
10
1
0.1
I
SD
, 源 至 流 电流 (一个)
T
J
= 150
o
C
2.0
T
J
= 25
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0 8 16 24 32 40
I
D
= 5.5a
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 200v
V
DS
= 320v
V
DS
= 80v
IRF730
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