IRF7326D2
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参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -30 — — V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 — 0.073 0.10 V
GS
= -10v, i
D
= -1.8a
— 0.13 0.16 V
GS
= -4.5v, i
D
= -1.5a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 — — V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 2.5 — — S V
DS
= -24v, i
D
= -1.8a
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 — — -1.0 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v
— — -25 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v, t
J
= 55°c
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 — — 100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏 — — -100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担 — — 25 I
D
= -1.8a
Q
gs
门-至-源 承担 — — 2.9 nC V
DS
= -24v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 — — 9.0 V
GS
= -10v (看 图示 6)
➂
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 — 11 — V
DD
= -15v
t
r
上升 时间 — 17 — I
D
= -1.8a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 — 25 — R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间 — 18 — R
D
= 8.2
Ω
➂
C
iss
输入 电容 — 440 — V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 — 200 — pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容 — 93 — ƒ = 1.0mhz (看 图示 5)
场效应晶体管 电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
Ω
µA
nA
ns
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
I
S
持续的 源 电流(身体 二极管) — — -2.5 一个
I
SM
搏动 源 电流(身体 二极管) — — -29
V
SD
身体 二极管 向前 电压 — — -1.0 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.8a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 (身体 二极管) — 53 80 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.8a
Q
rr
反转 恢复 承担 — 66 99 nC di/dt = 100a/µs
➂
场效应晶体管 源-流 比率 和 特性
参数 最大值 单位
情况
如果 (av) 最大值 平均 向前 电流 2.8 50% 职责 循环. rectangular 波, tc = 25°c
1.8 50% 职责 循环. rectangular 波, tc = 70°c
I
SM
最大值 顶峰 一个 循环 非-repetitive 200 5µs sine 或者 3µs rect. 脉冲波 下列的 任何 评估
surge 电流 20 10ms sine 或者 6ms rect. 脉冲波 加载 情况 &放大;
和 vrrm 应用
一个
肖特基 二极管 最大 比率
一个
参数 最大值 单位 情况
Vfm 最大值 向前 电压 漏出 0.57 如果 = 3.0, tj = 25°c
0.77 如果 =6.0, tj = 25°c
0.52 如果 = 3.0, tj = 125°c
0.79 如果 =6.0, tj = 125°c .
Irm 最大值 反转 泄漏 电流 0.30 vr = 30v tj =25°C
37 tj = 125°c
Ct 最大值接合面电容 310 pF vr = 5vdc ( 100khz 至 1 mhz) 25°c
dv/dt 最大值 电压 比率 的 承担 4900 v/µs评估 vr
肖特基 二极管 电的 规格
V
毫安
( hexfet 是 这 reg. tm 为 国际的 整流器 电源 场效应晶体管's )
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