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IRF7326D2
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电源 场效应晶体管 特性
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v     , 流-至-源 voltage (v)
V= 0v,         f = 1mHz
C= c     +C ,   c SHORTED
C= c
C= c     +C
GS
iss         gs         gd         ds
rss         gd
oss        ds         gd
C
是s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25
Q, total gateCharge (nc)
G
一个
-v, g一个te-至-source voltage (v)
GS
i    =-3.0a
V=-24V
DS
D
为 测试 电路
看 图示 12
0.1
1
10
100
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
t  = 25°c
t  = 150°c
J
J
V=0V
GS
SD
SD
一个
-i     , 反转 流 电流 (一个)
-v     , 源-至-流 电压 (v)
1
10
100
1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150  c
= 25  c
°
°
J
C
-v     , 流-至-源 电压 (v)
-i   , 流 电流 (一个)i   , 流 电流 (一个)
DS
D
100us
1ms
10ms

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IRF7326D2 4 www.irf.com 电源场效应晶体管特性图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0 200 400 600 800 1000 1 10 100 c, 电容 (pf) 一个 DS -v , 流-至-源 voltage (v) V= 0v, f = 1mHz C= c +C , c SHORTED C= c C= c +C GS iss gs gd ds rss gd oss ds gd C 是s C oss C rss 0 4 8 12 16 20 0 5 10 15 20 25 Q, total gateCharge (nc) G 一个 -v, g一个te-至-source voltage (v) GS i =-3.0a V=-24V DS D 为测试电路看图示 12 0.1 1 10 100 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 t = 25°c t = 150°c J J V=0V GS SD SD 一个 -i , 反转流电流 (一个) -v , 源-至-流电压 (v) 1 10 100 1 10 100 运作在这个范围限制用 r ds(在) 单独的脉冲波 T T = 150 c = 25 c ° ° J C -v , 流-至-源电压 (v) -i , 流电流 (一个)i , 流电流 (一个) DS D 100us 1ms 10ms

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