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资料编号:317219
 
资料名称:IRF7338
 
文件大小: 200.2K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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www.irf.com 5
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

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


1 10 100
V
DS
, 流-至-source 电压 (v)
0
200
400
600
800
1000
C
,
C
一个
p
一个
c
i
t
一个
n
c
e
(
p
F
)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0.1
1
10
100
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0
Q
G
总的 门 承担 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
V
G
S
,
G
一个
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
V
DS
= 12v
I
D
= 6.0a
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