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资料编号:317219
 
资料名称:IRF7338
 
文件大小: 200.2K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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0.0
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1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
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°
V =
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D
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-i
D
, 流 电流 (一个)
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0.08
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0.12
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0.18
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R
D
S
(
o
n
)
,
D
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(
)
V
GS
= -2.7v
V
GS
= -4.5v
2.0 3.0 4.0 5. 0 6. 0 7. 0 8.0
-v
GS ,
门 -至 -源 电压 (v)
0.06
0.08
0.10
0.12
R
D
S
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,
D
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一个
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)
I
D
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德州仪器me (sec)
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40
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