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资料编号:317221
 
资料名称:IRF7343
 
文件大小: 143.7K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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IRF7343
4 www.irf.com
0 10 20 30 40
0.040
0.060
0.080
0.100
0.120
r , 流-至-源 在 阻抗
i , 流 电流 (一个)
D
ds (在)
vgs = 10v
vgs = 4.5v
图 5.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 8.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 6.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 7.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
n-频道
(
)
R
ds(在)
, 流-至-源 在 阻抗
( Ω )
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
10V
4.7a
25 50 75 100 125 150
0
40
80
120
160
200
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
2.1a
3.8a
4.7a
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0246810
一个
GS
v , g一个te-至-所以urceVoltage(v)
i = 4.7a
D
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