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资料编号:317221
 
资料名称:IRF7343
 
文件大小: 143.7K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7343
www.irf.com 7
图 16.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 19.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 17.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 18.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
p-频道
0 2 4 6 8 10 12
0.080
0.120
0.160
0.200
0.240
r , 流-至-源 在 阻抗
-i , 流 电流 (一个)
D
ds (在)
vgs = -4.5v
vgs = -10v
(
)
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
-10v
-3.4 一个
25 50 75 100 125 150
0
50
100
150
200
250
300
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
-1.5a
-2.7a
-3.4a
R
ds(在)
, 流-至-源 在 阻抗
( Ω )
0.05
0.15
0.25
0.35
0.45
2581114
一个
GS
-v , gate-至-sourceVoltage (v)
i = -3.4 一个
D
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