HEXFET
®
电源 场效应晶体管
2/22/00
IRF7402
描述
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
50 °c/w
热的 阻抗
一代 v 技术
过激 低 在-阻抗
n-频道 场效应晶体管
非常 小 soic 包装
低 profile (<1.1mm)
有 在 录音带 &放大; 卷轴
快 切换
顶 view
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
V
DSS
= 20v
R
ds(在)
= 0.035
Ω
fifth 一代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每
硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换
速 和 加固 设备 设计 那 hexfet
电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这
设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备
为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized
引线框架 为 增强 热的 characterstics 和
多样的-消逝 能力 制造 它 完美的 在 一个 多样性 的
电源 产品. 和 这些 改进, 多样的
设备 能 是 使用 在 一个 应用 和 dramatically
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 为
vapor 阶段, infrared 或者 波 焊接 技巧.
电源 消耗 的 更好 比 0.8 w 是 可能 在 一个
典型 pcb 挂载 应用.
www.irf.com 1
所以-8
参数 最大值 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 6.8
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 5.4 一个
I
DM
搏动 流 电流
54
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 2.5 W
P
D
@T
一个
= 70°c 电源 消耗 1.6
直线的 减额 因素 0.02 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 12 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面和存储温度范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大 比率
pd - 93851a
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