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资料编号:317363
 
资料名称:IRF7402
 
文件大小: 136.18K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7402
www.irf.com 3
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
0.1
1
10
100
0.1 1 10
i , drain-至-source current (一个)
D
V, dra在-至-source voltage (v)
DS
20µs 脉冲波 宽度
t =25°C
一个
VGS
p 7.5v
5.0v
4.0v
3.5v
3.0v
2.5v
2.0v
bottom 1.5v
1.5v
J
0.1
1
10
100
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
t = 25°c
t = 150°c
J
J
GS
v , gate-至-所以urceVoltage (v)
D
i , drain-至-所以urceCurrent (一个)
一个
V= 10V
20µs 脉冲波 wIDTH
DS
0.1
1
10
100
0.1 1 10
i , drain-至-source current (一个)
D
V, dra在-至-source voltage (v)
DS
一个
VGS
p 7.5v
5.0v
4.0v
3.5v
3.0v
2.5v
2.0v
bottom 1.5v
1.5v
20µs 脉冲波 wIDTH
t = 150°c
J
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
t , 接合面 temperature (°C)
R, drain-至-source on resistance
ds(在)
(normalized)
一个
V=4.5V
GS
i =3.8a
D
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
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