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资料编号:317567
 
资料名称:IRF7603
 
文件大小: 113.89K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.035ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7603
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
4
8
12
16
20
0 4 8 1216202428
Q, total gate charge (nc)
G
V , g ate-至-source v oltage(v )
GS
一个
为 测试电路
图示9
V=24V
V=15V
DS
DS
i = 3.7一个
D
0.1
1
10
100
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
t =25°C
t = 150°c
J
J
V =0V
GS
V, 所以urce-至-drain voltage (v)
i , reverseDrain current (一个)
SD
SD
一个
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
V, 流-至-源 电压 (v)
DS
i , 流 current (一个)
运作 在 这个范围限制D
BYR
D
ds(在)
T =25°C
T =150°C
S glePu lse
100µs
1ms
10ms
一个
一个
J
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
V, drain-至-所以urce voltage (v)
一个
V=0V ,f =1MH z
C=C+C,CSH或者TED
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
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