IRF7603
pd - 9.1262d
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 快 切换 速 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好
知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 新 micro8 包装, 和 half 这 footprint 范围 的 这
标准 所以-8, 提供 这 smallest footprint 有 在
一个 soic 外形. 这个 制造 这 micro8 一个 完美的 设备 为
产品 在哪里 打印 电路 板 空间 是 在 一个
premium. 这 低 profile (<1.1mm) 的 这 micro8 将 准许
它 至 合适 容易地 在 极其 薄的 应用 环境
此类 作 可携带的 electronics 和 pcmcia cards.
一代 v 技术
过激 低 在-阻抗
n-频道 场效应晶体管
非常 小 soic 包装
低 profile (<1.1mm)
有 在 录音带 &放大; 卷轴
快 切换
顶 view
81
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
V
DSS
= 30v
R
ds(在)
= 0.035
Ω
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
描述
Micro8
参数 最大值 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 5.6
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 4.5 一个
I
DM
搏动 流 电流
30
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 1.8 W
直线的 减额 因素 14
mw/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大 比率
8/25/97
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
––– 70 °c/w
热的 阻抗
所有 micro8 数据 薄板 反映 改进 热的 阻抗, 电源 和 电流 -处理 比率- 有效的
仅有的 为 产品 marked 和 日期 代号 505 或者 后来的 .
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