IRF7606
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
20µs p ULSEWIDTH
T= 25°c
一个
-i , d r一个 在 -至 -s ourc eC u rren t (一个)
-v , 流-至-源 电压 (v)
J
-3.0v
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTT OM- 3.0v
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
一个
-i , drain-至-sourceCurrent (一个)
-v , 流-至-源 电压 (v)
-3.0v
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTT OM- 3.0v
20µsPULSEWIDTH
T= 150°C
J
1
10
100
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
T= 25°c
T=15 0°C
J
J
GS
D
一个
-i, d ra在-至-SourceC urrent (一个)
-v,Ga te-至-so urceVoltage(v)
V =-1 0V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
t , junction temperature (°c)
R , drain-至-s ource on resistance
DS(在)
(非rm一个lized)
一个
V= -10V
GS
I=-2.7A
D