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资料编号:317568
 
资料名称:IRF7606
 
文件大小: 102.48K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.09ohm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7606
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
V, drain-至-所以urce voltage (v)
一个
V=0V ,f =1MH z
C=C+C,CSH或者TED
C=C
C=C+C
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25 30
G
GS
一个
-v, gate-至-sourceV oltage (v )
q , 总的 门 charge (nc)
V=-24V
V=-15V
DS
DS
为 测试 电路
看 figure 9
I= -2.7一个
D
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
t = 25°c
T= 150°C
J
J
V =0V
GS
SD
SD
一个
-i , r everseD ra在 current (一个)
-v, 所以urce-至-dra在 voltage (v)
1
10
100
1 10 100
运算E R一个TIONTH是 一个 RE 一个LIMITE D
BY R
ds(在)
T=25°C
T=150°C
单独的 脉冲波
一个
-i , dra在 current (一个)
-v , drain-至-sourceVoltage (v)
DS
D
一个
J
100µs
1ms
10ms
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