HEXFET
®
电源 场效应晶体管
12/21/00
IRF7726
绝对 最大 比率
www.irf.com 1
热的 阻抗
参数 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 -30 V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -7.0
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -5.7 一个
I
DM
搏动 流 电流
-28
P
D
@T
一个
= 25°c 最大 电源 消耗
1.79 W
P
D
@T
一个
= 70°c 最大 电源 消耗
1.14 W
直线的 减额 因素 0.01 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±20 v
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
pd -94064
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
-30v
0.026@v
GS
= -10v
-
7.0a
0.040@v
GS
= -4.5v
-
6.0a
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
70
°
c/w
微观的-8
描述
过激 低 在-阻抗
p-频道 场效应晶体管
非常 小 soic 包装
低 profile (< 1.2mm)
有 在 录音带 &放大; 卷轴
HEXFET
®
电源 mosfets 从 国际的 recti-
fier utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个
益处, 联合的 和 这 加固 设备 设计,
那 国际的 整流器 是 好 知道 为, 提供
这 设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的
设备 为 电池 和 加载 管理.
这 新 micro8 包装, 和 half 这 footprint 范围
的 这 标准 所以-8, 提供 这 smallest footprint
有 在 一个 soic 外形. 这个 制造 这 micro8
一个 完美的 设备 为 产品 在哪里 打印 电路
板 空间 是 在 一个 premium. 这 低 profile (<1.2mm)
的 这 micro8 将 准许 它 至 合适 容易地 在 极其 薄的
应用 环境 此类 作 可携带的 electronics
和 pcmcia cards.
顶 view
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
DG
S
一个
D
S
S
: 点此下载
