IRF7726
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
-1.2 V T
J
= 25
°
c, i
S
= -1.8a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
35 53 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= -1.8a
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
32 48
µ
C di/dt = -100a/µs
源-流 比率 和 特性
––– –––
–––
–––
-28
-1.8
一个
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -30
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.016
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= -1ma
––– –––
0.026 V
GS
= -10v, i
D
= -7.0a
––– –––
0.040 V
GS
= -4.5v, i
D
= -6.0a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0
–––
-2.5 V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 10
––– –––
SV
DS
= -10v, i
D
= -7.0a
––– –––
-15 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v
––– –––
-25 V
DS
= -24v, v
GS
= 0v, t
J
= 70
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担
–––
46 69 I
D
= -7.0a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
8.0
–––
nC V
DS
= -15v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
8.1
–––
V
GS
= -10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
15 23 V
DD
= -15v, v
GS
= -10v
t
r
上升 时间
–––
25 38 I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
227 341 R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间
–––
107 161 R
D
= 15
Ω
C
iss
输入 电容
–––
2204
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
341
–––
pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
220
––– ƒ
= 1.0mhz
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
≤
400µs; 职责 循环
≤
2%.
S
D
G
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, t < 10 秒.