参数 标识 IRF7807 IRF7807A 单位
流-源 电压 V
DS
30 V
门-源 电压 V
GS
±12
持续的 流 或者 源 25°C I
D
8.3 8.3 一个
电流 (v
GS
≥
4.5v) 70°C 6.6 6.6
搏动 流 电流
I
DM
66 66
电源 消耗 25°C P
D
2.5 W
70°C 1.6
接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
J
,
T
STG
–55 至 150 °C
持续的 源 电流 (身体 二极管)
I
S
2.5 2.5 一个
搏动 源 电流 I
SM
66 66
• n 频道 应用 明确的 mosfets
• 完美的 为 mobile 直流-直流 转换器
• 低 传导 losses
• 低 切换 losses
描述
这些 新 设备 雇用 先进的 hexfet 电源
场效应晶体管 技术 至 达到 一个 unprecedented
balance 的 在-阻抗 和 门 承担. 这
减少 传导 和 切换 losses 制造 它们
完美的 为 高 效率 直流-直流 转换器 那 电源
这 最新的 一代 的 mobile 微处理器.
一个 一双 的 irf7807 设备 提供 这 最好的 费用/
效能 解决方案 为 系统 电压, 此类 作 3.3v
和 5v.
HEXFET
®
碎片-设置 为 直流-直流 转换器
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
最大 接合面-至-包围的
R
θ
JA
50 °c/w
热的 阻抗
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
irf7807/irf7807a
www.irf.com 1
10/10/00
所以-8
irf7807 irf7807a
Vds 30V 30V
rds(在) 25m
Ω
25m
Ω
Qg 17nC 17nC
Qsw 5.2nc
Qoss 16.8nc 16.8nc
设备 特性
pd – 91747c
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