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irf7807/irf7807a
5v 供应 : q1=q2=irf7807
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11.522.533.544.55
加载 电流 (一个)
效率 (%)
vin = 10v
vin = 14v
Vin=24V
典型 mobile pc 应用
这 效能 的 这些 新 设备 有 被 测试
在 电路 和 correlates 好 和 效能 predic-
tions 发生 用 这 系统 模型. 一个 有利因素
的 这个 新 技术 platform 是 那 这 mosfets
它 生产 是 合适的 为 两个都 控制 场效应晶体管 和 syn-
chronous 场效应晶体管 产品. 这个 有 被 demon-
strated 和 这 3.3v 和 5v 转换器. (图 3 和
图 4). 在 这些 产品 这 一样 场效应晶体管 irf7807
是 使用 为 两个都 这 控制 场效应晶体管 (q1) 和 这 syn-
chronous 场效应晶体管 (q2). 这个 提供 一个 高级地 有效的
费用/效能 解决方案.
3.3v 供应 : q1=q2=irf7807
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加载 电流 (一个)
效率 (%)
vin = 10v
vin = 14v
vin = 24v
图示 3 图示 4
图示 2: q
oss
典型的
为 这 同步的 场效应晶体管 q2, r
ds(在)
是 一个 im-
portant 典型的; 不管怎样, once 又一次 这 impor-
tance 的 门 承担 必须 不 是 overlooked 自从 它
impacts 三 核心的 areas. 下面 明亮的 加载 这
场效应晶体管 必须 安静的 是 转变 在 和 止 用 这 con-
trol ic 所以 这 门 驱动 losses 变为 更 更多
重大的. secondly, 这 输出 承担 q
oss
和 re-
verse 恢复 承担 q
rr
两个都 发生 losses 那
是 transfered 至 q1 和 增加 这 消耗 在
那 设备. thirdly, 门 承担 将 impact 这
mosfets’ susceptibility 至 cdv/dt 转变 在.
这 流 的 q2 是 连接 至 这 切换 node
的 这 转换器 和 因此 sees transitions 是-
tween 地面 和 v
在
. 作 q1 转变 在 和 止 那里 是
一个 比率 的 改变 的 流 电压 dv/dt 这个 是 ca-
pacitively 结合 至 这 门 的 q2 和 能 induce
一个 电压 尖刺 在 这 门 那 是 sufficient 至 转变
这 场效应晶体管 在, 结果 在 shoot-通过 电流 .
这 比率 的 q
gd
/q
gs1
必须 是 使减少到最低限度 至 减少 这
潜在的 为 cdv/dt 转变 在.
额外的刺激 模型 为 irf7807 能 是 下载 在 毫安-
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