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资料编号:317812
 
资料名称:IRF7832
 
文件大小: 211.13K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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www.irf.com 5
图 11.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
图 9.
最大 流 电流 vs.
情况 温度
图 10.
门槛 电压 vs. 温度
25 50 75 100 125 150
T
C
, 情况 温度 (°c)
0
4
8
12
16
20
24
I
D
,
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
1e-006 1e-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
0.01
0.1
1
10
100
T
h
e
r
m
一个
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
一个
)
0.20
0.10
d = 0.50
0.02
0.01
0.05
单独的 脉冲波
( 热的 回馈 )
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, 温度 (°c)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
G
S
(
t
h
)
,
G
一个
t
e
T
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
I
D
= 250µa
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