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资料编号:317812
 
资料名称:IRF7832
 
文件大小: 211.13K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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6 www.irf.com
图 13.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
25 50 75 100 125 150
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
100
200
300
400
500
600
E
一个
S
,
S
i
n
g
l
e
P
u
l
s
e
一个
v
一个
l
一个
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
顶 7.0a
13A
BOTTOM 16A
图 16.
切换 时间 测试 电路
图 17.
切换 时间 波形
图 12.
在-阻抗 vs. 门 电压
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
图 15.
门 承担 测试 电路
图 14.
unclamped inductive 测试 电路
和 波形
t
p
V
(br)dss
I
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
VGS
V
GS
脉冲波 宽度 < 1µs
职责 因素 < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
d.u.t
+
-
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(在)
t
d(止)
t
r
t
f
2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
GS
, 门 -至 -source 电压 (v)
0
2
4
6
8
10
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
m
)
I
D
= 20a
T
J
= 125°c
T
J
= 25°c
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