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资料编号:317817
 
资料名称:IRF7807D1
 
文件大小: 165.81K
   
说明
 
介绍:
MOSFET / SCHOTTKY DIODE
 
 


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IRF7807D1
4 www.irf.com
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 8.
典型 转移 特性
1 10 100
0
400
800
1200
1600
2000
v , 流-至-源 电压 (v)
c, 电容 (pf)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0v,
C
C
C
f = 1mhz
+ c
+ c
c 短接
GS
iss gs gd , ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
图 7.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
0 2 4 6 8 10 12
Q
g,
总的 门 承担 (nc)
0.0
2.0
4.0
6.0
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
I
D
= 7.0a
V
DS
= 16v
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, 接合面 温度 ( °c )
0.5
1.0
1.5
2.0
R
ds(在)
, 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
I
D
= 7.0a
V
GS
= 4.5v
2.5 3.0 3.5
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
1
10
100
I
D
, 流-至-源 电流
(
一个)
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
V
DS
= 10v
380µs 脉冲波 宽度
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