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图 11.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(
HEXFET

场效应晶体管
)
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10 100
注释:
1. 职责 因素 d = t   / t
2. 顶峰 t = P x  z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t  , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z        )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
图 9.
在-阻抗 vs. 门 电压
0 20 40 60 80
0.016
0.018
0.020
0.022
0.024
r            , 流-至-源 在 阻抗
i    , 流 电流 (一个)
D
ds (在)
vgs = 10v
vgs = 4.5v
图 10.
在-阻抗 vs. 流 电流
( Ω )
2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
V
gs,
门 -至 -源 电压  (v)
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
R
ds(在)
,  流-至 -源 在 阻抗 (
Ω
)
I
D
= 7.0a

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IRF7807D1 www.irf.com 5 图 11. 最大有效的瞬时热的阻抗, 接合面-至-包围的 ( HEXFET  场效应晶体管 ) 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 注释: 1. 职责因素 d = t / t 2. 顶峰 t = P x z + t 1 2 J DM thJA 一个 P t t DM 1 2 t , rectangular 脉冲波持续时间 (秒) 热的回馈 (z ) 1 thJA 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 d = 0.50 单独的脉冲波 (热的回馈) 图 9. 在-阻抗 vs. 门电压 0 20 40 60 80 0.016 0.018 0.020 0.022 0.024 r , 流-至-源在阻抗 i , 流电流 (一个) D ds (在) vgs = 10v vgs = 4.5v 图 10. 在-阻抗 vs. 流电流 ( Ω ) 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 V gs, 门 -至 -源电压 (v) 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 R ds(在) , 流-至 -源在阻抗 ( Ω ) I D = 7.0a

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