1999 Jan 06 3
飞利浦 半导体 产品 规格
256
×
8-位 静态的 低-电压 内存 和
I
2
c-总线 接口
PCF8570
1 特性
•
运行 供应 电压 2.5 至 6.0 V
•
低 数据 保持 电压; 最小 1.0 V
•
低 备用物品 电流; 最大 15
µ
一个
•
电源-节省 模式; 典型 50 nA
•
串行 输入/输出 总线 (i
2
c-总线)
•
地址 用 3 硬件 地址 管脚
•
自动 文字 地址 incrementing
•
有 在 dip8 和 so8 包装.
2 产品
•
telephony:
– 内存 expansion 为 贮存 号码 在 repertory
dialling (e.g. pcd33xxa 产品)
•
一般 目的 内存 为 产品 需要
极其 低 电流 和 低-电压 内存 保持,
此类 作 电池 或者 电容-backed.
•
无线电, television 和 video 盒式录音带 recorder:
– 频道 presets
•
一般 目的:
– 内存 expansion 为 这 微控制器 families
pcd33xxa, pcf84cxxxa, p80clxxx 和 大多数 其它
微控制器.
3 一般 描述
这 pcf8570 是 一个 低 电源 静态的 cmos 内存,
有组织的 作 256 words 用 8-位.
地址 和 数据 是 transferred serially 通过 一个 二-线条
双向的 总线 (i
2
c-总线). 这 建造-在 文字 地址
寄存器 是 incremented automatically 之后 各自 写 或者
读 数据 字节. 三 地址 管脚, a0, a1 和 a2 是
使用 至 定义 这 硬件 地址, 准许 这 使用 的
向上 至 8 设备 连接 至 这 总线 没有 额外的
硬件.
4 快 涉及 数据
5 订货 信息
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
供应 电压 2.5 6.0
I
DD
供应 电流 (备用物品) f
SCL
=0Hz
−
15
µ
一个
I
DDR
供应 电流 (电源-节省 模式) T
amb
=25
°
C
−
400 nA
T
amb
运行 包围的 温度
−
40 +85
°
C
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
类型
号码
包装
名字 描述 版本
PCF8570P DIP8 塑料 双 在-线条 包装; 8 leads (300 mil) sot97-1
PCF8570T SO8 塑料 小 外形 包装; 8 leads; 身体 宽度 7.5 mm sot176-1
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