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资料编号:319862
 
资料名称:IRF9540
 
文件大小: 125.1K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF9540N
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
1
10
100
0.1 1 10 100
D
DS
20µs 脉冲波 wIDTH
t = 25°c
c
一个
-i , drain-至-source current (一个)
-v , 流-至-源 电压 (v)
VGS
p - 15v
- 10v
- 8.0v
- 7.0v
- 6.0v
- 5.5v
- 5.0v
BOTTOM- 4.5v
-4.5v
1
10
100
0.1 1 10 100
D
DS
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-v, drain-至-sourceVoltage (v)
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 8.0v
- 7.0v
- 6.0v
- 5.5v
- 5.0v
bottom - 4.5v
-4.5v
20µs 脉冲波 w IDTH
t = 175°c
C
0.1
1
10
100
45678910
t = 25°c
J
GS
D
一个
-i , drain-至-所以urce current (一个)
-v , 门-至-源 电压 (v)
V= -25V
20µs 脉冲波 wIDTH
DS
t = 175°c
J
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
t , 接合面 temperature (°c)
r , drain-至-source onResistance
ds(在)
(norm alized)
一个
V=-10V
GS
i = -19一个
D
J
J
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