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资料编号:319862
 
资料名称:IRF9540
 
文件大小: 125.1K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF9540N
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v, drain-至-source voltage (v)
V=0V, f =1MHz
C=C+ c, c sHORTED
C=C
C=C+ c
GS
s gsgd ds
rssgd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 20406080100
G
GS
一个
-v , g一个te-至-source voltage (v)
Q, 总的 g一个te charge (nc)
V= -80V
V= -50V
V= -20V
DS
DS
DS
FOr 测试 电路
SEEURE13
i =-11A
D
0.1
1
10
100
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
t = 25°c
J
V=0V
GS
SD
SD
一个
-i , 反转 流 电流 (一个)
-v , 源-至-流 电压 (v)
t = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100 1000
OPERATION在 这个一个RE一个LIMITE D
BYR
ds(在)
10ms
一个
-i , drain current (一个)
-v, dra在-至-source voltage (v)
DS
D
100µs
1ms
t =25°C
t =175°C
Sin
gle pulse
C
J
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