IRF9953
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– 0.82 1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.25a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 27 54 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.25a
Q
rr
反转 RecoveryCharge ––– 31 62 nC di/dt = -100a/µs
源-流 比率 和 特性
––– –––
––– ––– 16
1.3
一个
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec.
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
≤
-1.3a, di/dt
≤
-92a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150°C
注释:
开始 t
J
= 25°c, l = 67mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= -1.3a.
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -30 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.015 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
––– 0.165 0.250 V
GS
= 10v, i
D
= -1.0a
––– 0.290 0.400 V
GS
= 4.5v, i
D
= -0.50a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -1.0 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 ––– -2.4 ––– S V
DS
= -15v, i
D
= -2.3a
––– ––– -2.0 V
DS
= 24v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= 24v, v
GS
= 0v, t
J
= 55°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担 ––– 6.1 12 I
D
= -2.3a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 1.7 3.4 nC V
DS
= -10v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 1.1 2.2 V
GS
= -10v, 看 图. 10
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 9.7 19 V
DD
= -10v
t
r
上升 时间 ––– 14 28 I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 20 40 R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间 ––– 6.9 14 R
D
= 10
Ω
C
iss
输入 电容 ––– 190 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 120 ––– pF V
DS
= -15v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 61 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
S
D
G
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