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资料编号:320057
 
资料名称:IRF9953
 
文件大小: 107.4K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
 
 


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IRF9953
图 3.
典型 转移 特性
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
0.1
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
20µs pULSEWIDTH
T= 25°c
一个
-i , drain-至-sourceCurrent (一个)
-v , 流-至-源 电压 (v)
J
-3.0V
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTTOM - 3.0v
0.1
1
10
100
0.1 1 10
D
DS
一个
-i , d r一个 - -s ourc eC u rren t (一个 )
-v , 流-至-源 电压 (v)
-3.0v
VGS
顶 - 15v
- 10v
- 7.0v
- 5.5v
- 4.5v
- 4.0v
- 3.5v
BOTTOM - 3.0v
20µsPULSEWIDTH
T= 150°C
J
0.1
1
10
100
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
t = 25°c
t = 150°c
J
J
GS
D
一个
-i, d rain-至-SourceC urrent (一个)
-v,Gate-至-so urceVoltage(v)
V =-1 0V
20µs 脉冲波 w IDTH
DS
图 4.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0.1
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
t = 25°c
t = 150°c
J
J
V =0V
GS
SD
SD
一个
-i , reverse drainC urrent (一个)
-v, 所以urce-至-dra在 voltage (v)
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