十一月 2001
2001 仙童 半导体 公司
fdp2670/fdb2670 rev c1(w)
fdp2670/fdb2670
200v n-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这个 n-频道 场效应晶体管 有 被 设计
specifically 为 切换 在 这 primary 一侧 在 这
分开的 直流/直流 转换器 应用. 任何 应用
需要 一个 200v mosfets 和 低 在-阻抗 和
快 切换 将 益处.
这些 mosfets 特性 faster 切换 和 更小的
门 承担 比 其它 mosfets 和 comparable
RDS
(在)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动
(甚至 在 非常 高 发生率), 和 直流/直流 电源
供应 设计 和 高等级的 整体的 效率.
特性
•
19 一个, 200 v. R
ds(在)
= 130 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
•
低 门 承担 (27 nc 典型)
•
快 切换 速
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
•
高 电源 和 电流 处理 能力
S
G
D
至-220
fdp 序列
D
G
S
至-263ab
fdb 序列
S
G
D
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 200 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
19 一个
– 搏动
(便条 1)
40 一个
P
D
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
93 W
减额 在之上 25
°
C
0.63
W
°
/c
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
3.2 v/ns
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –65 至 +175
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 1.6
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 62.5
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDB2670 FDB2670 13’’ 24mm 800 单位
FDP2670 FDP2670 Tube n/一个 45 单位
FDP2670/FDB2670
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