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资料编号:322862
 
资料名称:FDB2670
 
文件大小: 83.65K
   
说明
 
介绍:
200V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fdp2670/fdb2670 rev c1(w)
典型 特性
0
2
4
6
8
10
0 5 10 15 20 25 30
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门-源 电压 (v)
I
D
= 10a
V
DS
= 50v
100V
75V
0
500
1000
1500
2000
0 25 50 75 100 125 150 175 200
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1mhz
V
GS
= 0 v
图示 7. 门 承担 特性. 图示 8. 电容 特性.
0.1
1
10
100
1 10 100 1000
V
DS
, 流-源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
直流
100ms
R
ds(在)
限制
V
GS
= 10v
单独的 脉冲波
R
θ
JC
= 1.6
o
c/w
T
C
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
10us
0
500
1000
1500
2000
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
t
1
, 时间 (秒)
p(pk), 顶峰 瞬时 电源 (w)
单独的 脉冲波
R
θ
JC
= 1.6°c/w
T
C
= 25°c
图示 9. 最大 safe 运行 范围. 图示 10. 单独的 脉冲波 最大
电源 消耗.
0.01
0.1
1
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
t
1
, 时间 (秒)
r(t), normalized 有效的
瞬时 热的 阻抗
R
θ
JC
(t) = r(t) * r
θ
JC
R
θ
JC
= 1.6 °c/w
T
J
- t
C
= p * r
θ
JC
(t)
职责 循环, d = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
d = 0.5
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1.
瞬时 热的 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
FDP2670/FDB2670
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