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资料编号:323063
 
资料名称:FDC636P
 
文件大小: 198.2K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= -250µ一个 -20 V
BV
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
I
D
=-250 µa, 关联 至 25
o
C
-22
mv/
o
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= -16V,V
GS
= 0 v
-1 µ一个
T
J
= 55
o
C
-10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 8v,V
DS
= 0 v
100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -8v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250 µa
-0.4 -0.6 -1 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压温度.系数
I
D
=-250 µa, 关联 至 25
o
C
2
mv/
o
C
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
= -4.5v,I
D
= -2.8一个
0.11 0.13
T
J
= 125
o
C 0.17 0.21
V
GS
= -2.5v,I
D
= -2.2一个
0.146 0.18
I
D(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= -4.5v, v
DS
= -5 v -11 一个
g
FS
向前 跨导
V
DS
= -5v, i
D
= -2.8一个
4 S
动态特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= -10v, v
GS
= 0 v,
390 pF
C
oss
输出 电容 f = 1.0 mhz 170 pF
C
rss
反转 转移 电容 45 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间 V
DD
= -10v, i
D
= -1一个, 30 48 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间
V
GS
= -4.5v, r
GEN
= 6
26 42 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 8 16 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 15 27 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= -5v, i
D
= -2.8一个,
6 8.5 nC
Q
gs
门-源 承担 V
GS
= -4.5V 0.9 nC
Q
gd
门-流 承担 1 nC
流-源 二极管 特性
I
S
持续的 源 二极管 电流 -1.3 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压
V
GS
= 0 v,I
S
= -1.3一个(便条 2)
-0.77 -1.2 V
注释:
1.R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的 这管脚.R
θ
JC
是 有保证的
设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个. 78
o
c/w 当 挂载在 一个 1
2
垫子 的 2oz cu 在fr-4 板.
b. 156
o
c/w 当 挂载 在一个 最小 垫子 的 2oz cu 在fr-4 板.
2.脉冲波 测试: 脉冲波 宽度<300µs, 职责 循环<2.0%.
FDC636Prev.b
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