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资料编号:323063
 
资料名称:FDC636P
 
文件大小: 198.2K
   
说明
 
介绍:
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDC636Prev.b
图示 10. 单独的 脉冲波 最大 电源
消耗.
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
20
50
100
200
400
600
1000
-v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0 v
GS
C
oss
C
rss
图示 8.电容 特性.
图示 7. 门 承担 特性.
图示 9.最大 safe 运行 范围.
典型 电的特性
(持续)
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0
1
2
3
4
5
q , 门 承担 (nc)
-v , 门-源 电压 (v)
g
GS
v = -5v
DS
-10v
i = -2.8a
D
-15v
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 30
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
20
- v , 流-源 电压 (v)
-i , 流 电流 (一个)
rds(在) 限制
D
一个
直流
DS
1s
100ms
10ms
1ms
v = -4.5v
单独的 脉冲波
r =156 °c/w
t = 25°c
θ
JA
GS
一个
100us
0.01 0.1 1 10 100 300
0
1
2
3
4
5
单独的 脉冲波 时间 (秒)
电源 (w)
单独的 脉冲波
r =156°c/w
t = 25°c
θ
JA
一个
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t / t
1 2
r (t) = r(t) * r
r = 156°c/w
t - t = p * r (t)
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线
.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1b.
瞬时 热的回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
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