8月 2005
fdfma2p853 整体的 p-频道 powertrench
®
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
©2005 仙童 半导体 公司 fdfma2p853 rev. c (w)
1
FDFMA2P853
整体的 p-频道 powertrench
®
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
一般 描述
这个 设备 是 设计 specifically 作 一个 单独的 包装
解决方案 为 这 电池 承担 转变 在 cellular handset
和 其它 过激-可携带的 applications. 它 特性 一个 场效应晶体管
和 低 在-状态 阻抗 和 一个 independently
连接 低 向前 电压 肖特基 二极管 为 最小
传导 losses.
这 microfet 2x2 包装 提供 exceptional 热的
效能 为 它's 物理的 大小和 是 好 suited 至 直线的
模式 产品.
特性
场效应晶体管:
-3.0 一个, -20v. r
ds(在)
= 120 m
Ω
@ v
GS
= -4.5 v
R
ds(在)
= 160 m
Ω
@ v
GS
= -2.5 v
R
ds(在)
= 240 m
Ω
@ v
GS
= -1.8 v
低 profile - 0.8 mm maximun - 在 这 新 包装
microfet 2x2 mm
肖特基:
V
F
< 0.46 v @ 500 毫安
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
场效应晶体管 流-源 电压 -20 V
V
GSS
场效应晶体管 门-源 电压
±
8V
I
D
流 电流 -持续的 (便条 1a)
-搏动
-2.2
一个
-6
V
RRM
肖特基 repetitive 顶峰 反转 电压 20 V
I
O
肖特基 平均 向前 电流 (便条 1a) 1 一个
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a)
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1b)
1.4
W
0.7
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -55 至 +150
o
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 86
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1b) 173
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1c) 86
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1d) 140
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.853 FDFMA2P853 7inch 8mm 3000 单位
5
1
6
2
3
4
MicroFET
C
一个
G
NC D
S
管脚
C
G
S
一个
NC
D
c d
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