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资料编号:323326
 
资料名称:FDFMA2P853
 
文件大小: 307.08K
   
说明
 
介绍:
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
 
 


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fdfma2p853 整体的 p-频道 powertrench
®
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
fdfma2p853 rev. c (w)
5
图示 7.
0
1
2
3
4
5
01234
5
Q
g
, 门 承担 (nc)
-v
GS
, 门-源 电压 (v)
I
D
= -3.0a
V
DS
= -5v
-15v
-10v
门 承担 特性 图示 8.
0
100
200
300
400
500
600
700
0 4 8 121620
-v
DS
, 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1mhz
V
GS
= 0 v
电容 特性
图示 9.
0.001
0.01
0.1
1
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
F
, 向前 电压 (v)
I
F
, 向前 泄漏 电流(一个)
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
肖特基 二极管 向前 电压 图示 10.
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0 5 10 15 20
V
R
, 反转 电压 (v)
I
R
, 反转 泄漏 电流 (一个)
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 85
o
C
肖特基 二极管 反转 电流
图示 11.瞬时 热的 回馈 曲线
热的 描绘 执行 使用这 情况 描述 在 便条 1c.
瞬时 热的 回馈 将改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
典型 特性
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