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fdh50n50 / fda50n50 rev. 一个
fdh50n50 / fda50n50 500v n-频道 场效应晶体管
UniFET
TM
fdh50n50 / fda50n50
500v n-频道 场效应晶体管
特性
• 48a, 500v, r
ds(在)
= 0.105
Ω
@V
GS
= 10 v
• 低 门 承担 ( 典型 105 nc)
• 低 c
rss
( 典型 45 pf)
• 快 切换
• 100% avalanche 测试
• 改进 dv/dt 能力
描述
这些 n-频道 增强 模式 电源 地方 效应 transis-
tors 是 生产 使用 仙童’s 专卖的, planar stripe,
dmos 技术.
这个 先进的 技术 有 被 特别 tailored 至 迷你-
mize 在-状态 阻抗, 提供 更好的 切换 perfor-
mance, 和 承受 高 活力 脉冲波 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这些 设备 是 好 suited 为 高 effi-
cient 切换 模式 电源 供应 和 起作用的 电源 因素
纠正.
绝对 最大 比率
热的 特性
!
"
!
!
!
"
"
"
!
"
!
!
!
"
"
"
S
D
G
G
S
D
至-247
fdh 序列
GSD
至-3p
fda 序列
标识 参数 fdh50n50/fda50n50 单位
V
DSS
流-源 电压 500 V
I
D
流 电流 - 持续的 (t
C
= 25
°
c)
- 持续的 (t
C
= 100
°
c)
48
30.8
一个
一个
I
DM
流 电流 - 搏动
(便条 1)
192 一个
V
GSS
门-源 电压
±
20 V
E
作
单独的 搏动 avalanche 活力
(便条 2)
1868 mJ
I
AR
avalanche 电流
(便条 1)
48 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
(便条 1)
62.5 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
4.5 v/ns
P
D
电源 消耗 (t
C
= 25
°
c)
- 减额 在之上 25
°
C
625
5
W
w/
°
C
T
j,
T
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 最小值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 0.2
°
c/w
R
θ
CS
热的 阻抗, 情况-至-下沉 0.24 --
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 40
°
c/w
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